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Metal-induced n(+)/n homojunction for ultrahigh electron mobility transistors

작성자

관리자

조회수

21

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 비정질 산화물 반도체의 고이동도와 신뢰성 동시 최적화 이론을 통한 신물질 디자인
논문명 Metal-induced n(+)/n homojunction for ultrahigh electron mobility transistors
성과고유번호 JNL-2020-00111586815 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Kim, Hyoung-Do;Kim, Hyun-Suk;Kim, Yong-Hyun;Park, Yun Chang;Nahm, Ho-Hyun;Jeon, Sanghun;Joh, Hongrae;Jang, Seong Cheol;Park, Kyung;Park, Ji-Min 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 NPG Asia Materials 권(호) 12 (1) 시작페이지
DOI 10.1038/s41427-020-00271-y ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 03시 59분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 25분