논문 상세
목록Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
작성자
관리자
조회수
23
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 국방 무기체계용 핵심 반도체 부품 자립화 플랫폼 개발 | ||||
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| 논문명 | Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2020-00111545264 | 성과발생연도 | 2020 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Kim, Seong-Il;Kim, Haecheon;Jung, Hyun-Wook;Lee, Byoung Hun;Lee, Sang-Heung;Kang, Soo Cheol;Noh, Youn-sub;Lim, Jong-Won;Kim, Seung Mo;Ahn, Ho-Kyun;Lee, Sang Kyung;Chang, Sung-Jae | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 기여율 | 100.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | Nanomaterials | 권(호) | 10 (11) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.3390/nano10112116 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 03시 59분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 25분 | ||||
논문 원문