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High quality GaAs epitaxially grown on Si(001) substrate through AlAs nucleation and thermal cycle annealing

작성자

관리자

조회수

24

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 소재분석연구부 운영
논문명 High quality GaAs epitaxially grown on Si(001) substrate through AlAs nucleation and thermal cycle annealing
성과고유번호 JNL-2020-00111604305 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Ko, Young-Ho;Lee, Seo Young;Baek, Ju Hee;Kim, Duk-Jun;Kim, Jong-Hoi;Han, Won Seok;Guim, Hwanuk;Kim, Kap-Joong 소속기관명 한국기초과학지원연구원 기여율 33.33 %
공동저자
학술지
학술지명 SOLID-STATE ELECTRONICS 권(호) 166 시작페이지
DOI 10.1016/j.sse.2019.107763 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 03시 59분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 25분