논문 상세
목록Optimized annealing conditions to enhance stability of polarization in sputtered HfZrOx layers for non-volatile memory applications
작성자
관리자
조회수
23
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | ICT 창의기술 개발 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 논문명 | Optimized annealing conditions to enhance stability of polarization in sputtered HfZrOx layers for non-volatile memory applications | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2020-00111612625 | 성과발생연도 | 2020 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Kim, Yeriaron;Yoon, Sung-Min;Im, Jong-Pil;Kim, Jeong Hun;Im, Solyee;Lee, Yeseul;Moon, Seung Eon;Woo, Jiyong;Yang, Sang Mo;Suh, Dongwoo | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 기여율 | 50.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | CURRENT APPLIED PHYSICS | 권(호) | 20 (12) | 시작페이지 | 1441 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DOI | 10.1016/j.cap.2020.09.013 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 03시 59분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 25분 | ||||
논문 원문