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High-Performance Field-Effect Transistor and Logic Gates Based on GaS-MoS(2 )van der Waals Heterostructure

작성자

관리자

조회수

23

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 미래전자통신 인재양성사업단
논문명 High-Performance Field-Effect Transistor and Logic Gates Based on GaS-MoS(2 )van der Waals Heterostructure
성과고유번호 JNL-2020-00111675525 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Oh, Dong Sik;Choi, Sung-Yool;Lee, Geon-Beom;Choi, Yang-Kyu;An, Eun-Su;Jin, Hyeok Jun;Park, Cheolmin;Kim, Jun Sung;Shin, Gwang Hyuk;Lee, Khang June 소속기관명 한국과학기술원 기여율 0.0 %
공동저자
학술지
학술지명 ACS Applied Materials & Interfaces 권(호) 12 (4) 시작페이지 5106
DOI 10.1021/acsami.9b20077 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 03시 59분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 25분