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Origin of high quantum efficiency in Si-based homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes

작성자

관리자

조회수

41

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 생물 재난 분석기술 개발
논문명 Origin of high quantum efficiency in Si-based homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes
성과고유번호 JNL-2020-00111604130 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Shin, Youngwook;Lee, Moonsang;Jeong, Yesul;Hahm, Myung Gwan;Kim, Jaekyun;Lee, Hyun Uk 소속기관명 한국기초과학지원연구원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 권(호) 53 (37) 시작페이지
DOI 10.1088/1361-6463/ab9330 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 00분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 26분