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Effect of Forming Gas High-Pressure Annealing on Metal-Ferroelectric-Semiconductor Hafnia Ferroelectric Tunnel Junction

작성자

관리자

조회수

41

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 미래전자통신 인재양성사업단
논문명 Effect of Forming Gas High-Pressure Annealing on Metal-Ferroelectric-Semiconductor Hafnia Ferroelectric Tunnel Junction
성과고유번호 JNL-2020-00111675650 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Jeon, Sanghun;Goh, Youngin;Hwang, Junghyeon 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 권(호) 41 (8) 시작페이지 1193
DOI 10.1109/LED.2020.3001639 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 00분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 26분