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Improved Ferroelectric Switching in Sputtered HfZrOx Device Enabled by High Pressure Annealing

작성자

관리자

조회수

34

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 미래전자통신 인재양성사업단
논문명 Improved Ferroelectric Switching in Sputtered HfZrOx Device Enabled by High Pressure Annealing
성과고유번호 JNL-2020-00111675484 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Goh, Youngin;Kim, Jeong Hun;Yoon, Sung-Min;Im, Jong-Pil;Im, Solyee;Kim, Yeriaron;Moon, Seung Eon;Jeon, Sanghun;Hwang, Jeong Hyeon;Woo, Jiyong 소속기관명 한국과학기술원 기여율 0.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 권(호) 41 (2) 시작페이지 232
DOI 10.1109/LED.2019.2959802 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 00분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 26분