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Extraction of Interface Trap Density Through Synchronized Optical Charge Pumping in Gate-All-Around MOSFETs

작성자

관리자

조회수

33

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 저전력 및 초소형 실리콘 나노선 기반 난수발생기 개발
논문명 Extraction of Interface Trap Density Through Synchronized Optical Charge Pumping in Gate-All-Around MOSFETs
성과고유번호 JNL-2020-00111503076 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Lee, Geon-Beom;Choi, Yang-Kyu 소속기관명 한국과학기술원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 권(호) 41 (11) 시작페이지 1629
DOI 10.1109/LED.2020.3022025 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 01분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 27분