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목록Analysis of fluorine effects on charge-trap flash memory of W/TiN/Al2O3/Si3N4/SiO2/poly-Si gate stack
작성자
관리자
조회수
45
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 미래전자통신 인재양성사업단 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 논문명 | Analysis of fluorine effects on charge-trap flash memory of W/TiN/Al2O3/Si3N4/SiO2/poly-Si gate stack | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2020-00111675472 | 성과발생연도 | 2020 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Moon, Jung Min;Son, Jun Woo;Bong, Jae Hoon;Choi, Yang Kyu;Hwang, Wan Sik;Lee, Tae Yoon;Lee, Seung Hwan;Kim, Sung Ho;Lee, Sang Jae;Shin, Eui Joong;Cho, Byung Jin | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 기여율 | 100.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | SOLID-STATE ELECTRONICS | 권(호) | 164 | 시작페이지 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DOI | 10.1016/j.sse.2019.107713 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 02분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 27분 | ||||
논문 원문