논문 상세
목록Effects of Recessed-Gate Structure on AlGaN/GaN-on-SiC MIS-HEMTs with Thin AlOxNy MIS Gate
작성자
관리자
조회수
34
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 초고주파 전력증폭기용 GaN-on-SiC 에피 소재 기술 개발 | ||||
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| 논문명 | Effects of Recessed-Gate Structure on AlGaN/GaN-on-SiC MIS-HEMTs with Thin AlOxNy MIS Gate | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2020-00111587830 | 성과발생연도 | 2020 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Kang, Myoung-Jin;Seo, Kwang-Seok;Kim, Jeong Jin;Kim, Hyun-Seop;Cha, Ho-Young | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 기여율 | 25.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | Materials | 권(호) | 13 (7) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.3390/ma13071538 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 02분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 27분 | ||||
논문 원문