논문 상세
목록Effective Schottky barrier lowering of NiGe/p-Ge(100) using Terbium interlayer structure for high performance p-type MOSFETs
작성자
관리자
조회수
28
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 국방산업융합ICT인력양성사업단 | ||||
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| 논문명 | Effective Schottky barrier lowering of NiGe/p-Ge(100) using Terbium interlayer structure for high performance p-type MOSFETs | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2020-00111679741 | 성과발생연도 | 2020 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Lee, Ga-Won;Lee, Hi-Deok;Eadi, Sunil Babu;Lee, Jeong Chan;Oh, Jungwoo;Song, Hyeong-Sub | 소속기관명 | 충남대학교 | 기여율 | 0.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | Scientific Reports | 권(호) | 10 (1) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.1038/s41598-020-61011-4 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 02분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 28분 | ||||
논문 원문