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Reactive ion etching of an ovonic threshold switch (OTS) material using hydrogen-based plasmas for non-volatile phase change memories

작성자

관리자

조회수

38

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 5nm 이하급 수직 트랜지스터 구조를 위한 저손상의 원자층 식각 공정 및 응용기술 개발
논문명 Reactive ion etching of an ovonic threshold switch (OTS) material using hydrogen-based plasmas for non-volatile phase change memories
성과고유번호 JNL-2020-00111699402 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Kwon, Oik;Jang, Yun Jong;Park, Jin Woo;Gill, You Jung;Choi, Hyejin;Kim, Ye Eun;Kim, Ju Eun;Kim, Doo San;Yeom, Geun Young 소속기관명 대전대학교산학협력단 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 RSC Advances 권(호) 10 (59) 시작페이지 36141
DOI 10.1039/d0ra05321j ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 03분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 28분