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Trade-off between interfacial charge and negative capacitance effects in the Hf-Zr-Al-O/Hf0.5Zr0.5O2 bilayer system

작성자

관리자

조회수

47

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 고성능 (Endurance 10^12, Retention 85℃/10^5초, 스위칭 시간 15ns 이내) 하프늄옥사이드 강유전체 트랜지스터 메모리 소자 기술개발 및 이론연구
논문명 Trade-off between interfacial charge and negative capacitance effects in the Hf-Zr-Al-O/Hf0.5Zr0.5O2 bilayer system
성과고유번호 JNL-2020-00111626855 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Jeon, Sanghun;Gaddam, Venkateswarlu;Das, Dipjyoti;Kim, Taeho;Shin, Changhwan 소속기관명 한국과학기술원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 SOLID-STATE ELECTRONICS 권(호) 174 시작페이지
DOI 10.1016/j.sse.2020.107914 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 03분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 28분