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Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect

작성자

관리자

조회수

39

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 원전 압력경계 누설탐지를 위한 신개념 복합센싱기술 개발
논문명 Design for High Reliability of CMOS IC With Tolerance on Total Ionizing Dose Effect
성과고유번호 JNL-2020-00111498473 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Kim, Jongyeol;Cho, Seongik;Lee, Minwoong;Lee, Namho 소속기관명 한국원자력연구원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY 권(호) 20 (2) 시작페이지 459
DOI 10.1109/TDMR.2020.2994390 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 03분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 29분