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Gate-Tunable Reversible Rashba-Edelstein Effect in a Few-Layer Graphene/2H-TaS2 Heterostructure at Room Temperature

작성자

관리자

조회수

38

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 이차원물질 이종접합구조에서의 전기적 스핀양자효과 관측
논문명 Gate-Tunable Reversible Rashba-Edelstein Effect in a Few-Layer Graphene/2H-TaS2 Heterostructure at Room Temperature
성과고유번호 JNL-2020-00111330547 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Jin, Taehyeok;Kim, Boram;Kim, Changyoung;Zhang, Jin;Shin, Wongil;Kim, Beom Seo;Myeong, Gyuho;Lim, Hongsik;Cavill, Stuart;Cho, Sungjae;Ferreira, Aires;Lischner, Johannes;Kim, Seungho;Li, Lijun 소속기관명 한국과학기술원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 ACS Nano 권(호) 14 (5) 시작페이지 5251
DOI 10.1021/acsnano.0c01037 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 03분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 29분