R&D 정보

논문 상세

목록

Quantitative Analysis of High-Pressure Deuterium Annealing Effects on Vertically Stacked Gate-All-Around SONOS Memory

작성자

관리자

조회수

38

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 CMOS 기술을 이용한 융 복합 하드웨어 기반 나노 보안기술
논문명 Quantitative Analysis of High-Pressure Deuterium Annealing Effects on Vertically Stacked Gate-All-Around SONOS Memory
성과고유번호 JNL-2020-00111561314 성과발생연도 2020 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Lee, Geon-Beom;Yoo, Tae Jin;Kim, Seong-Yeon;Yun, Dae-Hwan;Choi, Yang-Kyu;Yu, Ji-Man;Lee, Byoung Hun;Lee, Byung-Hyun;Han, Joon-Kyu;Park, Jun-Young;Hur, Jae 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 권(호) 67 (9) 시작페이지 3903
DOI 10.1109/TED.2020.3008882 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 05분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 30분