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Selective Etching of Dielectric Buffer Layer for Organic Ferroelectric Memory Cell

작성자

관리자

조회수

33

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 다층 강유전체의 특성과 이를 이용한 멀티비트 메모리 트랜지스터 연구
논문명 Selective Etching of Dielectric Buffer Layer for Organic Ferroelectric Memory Cell
성과고유번호 JNL-2021-00112027209 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Cho, Jae-Hyeok 소속기관명 한밭대학 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 ELECTRONIC MATERIALS LETTERS 권(호) 17 (5) 시작페이지 406
DOI 10.1007/s13391-021-00301-z ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 07분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 31분