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Ultrasensitive WSe2/alpha-In2Se3 NIR Photodetector Based on Ferroelectric Gating Effect

작성자

관리자

조회수

40

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 이차원 소재의 플라즈몬 공명 및 밴드갭 제어를 통한 고감도, 초고속, 광대역 광센싱 원천기술 연구
논문명 Ultrasensitive WSe2/alpha-In2Se3 NIR Photodetector Based on Ferroelectric Gating Effect
성과고유번호 JNL-2021-00111998873 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Jin, Hyeok Jun 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES 권(호) 6 (11) 시작페이지
DOI 10.1002/admt.202100494 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 08분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 32분