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Impact of Post-Metal Annealing With Deuterium or Nitrogen for Curing a Gate Dielectric Using Joule Heat Driven by Punch-Through Current

작성자

관리자

조회수

42

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 CMOS 기술을 이용한 융 복합 하드웨어 기반 나노 보안기술
논문명 Impact of Post-Metal Annealing With Deuterium or Nitrogen for Curing a Gate Dielectric Using Joule Heat Driven by Punch-Through Current
성과고유번호 JNL-2021-00111996683 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Park, Jun-Young 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 권(호) 42 (2) 시작페이지 276
DOI 10.1109/LED.2020.3043384 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 08분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 32분