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Effect of gate dielectrics on characteristics of high-energy proton-irradiated AlGaN/GaN MISHEMTs

작성자

관리자

조회수

39

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구
논문명 Effect of gate dielectrics on characteristics of high-energy proton-irradiated AlGaN/GaN MISHEMTs
성과고유번호 JNL-2021-00111919050 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Lee, Jun-Hyeok 소속기관명 (재)한국원자력연구원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY 권(호) 184 (0) 시작페이지
DOI 10.1016/j.radphyschem.2021.109473 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 09분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 33분