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작성자
관리자
조회수
44
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발 | ||||
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| 논문명 | Extensive Analysis on the Effects of Post-Deposition Annealing for ALD-Deposited Al2O3 on an n-Type Silicon Substrate | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00111987517 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Bhattacharjee, Atish | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 기여율 | 100.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | MATERIALS | 권(호) | 14 (12) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.3390/ma14123328 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 09분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 33분 | ||||
논문 원문