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Observation of Divacancy Formation for ZnON Thin-Film Transistors With Excessive N Content

작성자

관리자

조회수

33

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 LTPS 수준의 고성능 산화물계 박막 트랜지스터 기술개발
논문명 Observation of Divacancy Formation for ZnON Thin-Film Transistors With Excessive N Content
성과고유번호 JNL-2021-00112044841 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Jang, Jun Tae 소속기관명 충남대학 기여율 25.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 권(호) 42 (7) 시작페이지 1006
DOI 10.1109/LED.2021.3077908 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 09분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 33분