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Impact of Sulfur Passivation on Carrier Transport Properties of In0.7Ga0.3As Quantum-Well MOSFETs

작성자

관리자

조회수

28

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발
논문명 Impact of Sulfur Passivation on Carrier Transport Properties of In0.7Ga0.3As Quantum-Well MOSFETs
성과고유번호 JNL-2021-00111987524 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Kim, Jun-Gyu 소속기관명 한국전자통신연구원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY 권(호) 9 (0) 시작페이지 209
DOI 10.1109/JEDS.2021.3056689 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 09분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 33분