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Mechanism of Proton-Induced electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

작성자

관리자

조회수

32

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구
논문명 Mechanism of Proton-Induced electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
성과고유번호 JNL-2021-00111919048 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Kim, Dong-Seok 소속기관명 (재)한국원자력연구원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 SOLID-STATE ELECTRONICS 권(호) 175 (0) 시작페이지
DOI 10.1016/j.sse.2021.107957 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 10분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 34분