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작성자
관리자
조회수
39
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 고이동도 낮은 밴드갭 특성을 갖는 Oxynitride 산화물 반도체를 이용한 생체인식전자소자 연구 | ||||
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| 논문명 | Abnormal Thermal Instability of Al-InSnZnO Thin-Film Transistor by Hydroxyl-Induced Oxygen Vacancy at SiOx/Active Interface | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00111913206 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Jeon, Guk-Jin | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 기여율 | 50.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 권(호) | 42 (3) | 시작페이지 | 363 | ||
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| DOI | 10.1109/LED.2021.3054859 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 10분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 34분 | ||||
논문 원문