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Highly oriented GeSe2 thin film growth using a facile low-vacuum annealing method

작성자

관리자

조회수

30

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 양자빔기반 초고속 방사선 기술 개발
논문명 Highly oriented GeSe2 thin film growth using a facile low-vacuum annealing method
성과고유번호 JNL-2021-00111947583 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Nguyen, Phuong 소속기관명 (재)한국원자력연구원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 SCRIPTA MATERIALIA 권(호) 198 (0) 시작페이지
DOI 10.1016/j.scriptamat.2021.113821 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 11분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 34분