논문 상세
목록In situ implementation of silicon epitaxial layer on amorphous SiO2 using reduced-pressure chemical vapor deposition
작성자
관리자
조회수
33
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 벌크 CMOS 기반의 reconfigurable FET 핵심기술 개발 | ||||
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| 논문명 | In situ implementation of silicon epitaxial layer on amorphous SiO2 using reduced-pressure chemical vapor deposition | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00112022128 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Kim, Sang-Hoon | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 기여율 | 100.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | APPLIED MATERIALS TODAY | 권(호) | 24 (0) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.1016/j.apmt.2021.101143 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 12분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 35분 | ||||
논문 원문