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Gate-tunable quantum dot formation between localized-resonant states in a few-layer MoS2

작성자

관리자

조회수

28

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 국제단위계(SI) 재정의 선도 차세대 측정표준 연구
논문명 Gate-tunable quantum dot formation between localized-resonant states in a few-layer MoS2
성과고유번호 JNL-2021-00112136342 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Kim, Bum-Kyu 소속기관명 (재)한국표준과학연구원 기여율 25.0 %
공동저자
학술지
학술지명 NANOTECHNOLOGY 권(호) 32 (19) 시작페이지
DOI 10.1088/1361-6528/abe262 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 12분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 35분