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First-Principles-Based Quantum Transport Simulations of Interfacial Point Defect Effects on InAs Nanowire Tunnel FETs

작성자

관리자

조회수

23

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 산업·사회 혁신을 위한 초연결지능 교육연구단
논문명 First-Principles-Based Quantum Transport Simulations of Interfacial Point Defect Effects on InAs Nanowire Tunnel FETs
성과고유번호 JNL-2021-00112186942 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Lee, Hyeongu 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 권(호) 68 (11) 시작페이지 5901
DOI 10.1109/TED.2021.3112395 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 12분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 35분