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Stackable InGaAs-on-Insulator HEMTs for Monolithic 3-D Integration

작성자

관리자

조회수

23

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 차세대 2단자, 3단자 기반 시냅스 소자용 플랫폼 개발
논문명 Stackable InGaAs-on-Insulator HEMTs for Monolithic 3-D Integration
성과고유번호 JNL-2021-00112022317 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Jeong, Jaeyong 소속기관명 한국과학기술원 기여율 20.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 권(호) 68 (5) 시작페이지 2205
DOI 10.1109/TED.2021.3064527 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 12분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 35분