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Ferroelectricity in Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2 Bilayer Stack: Role of Dielectric Layer Thickness and Annealing Temperature

작성자

관리자

조회수

30

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 전기 다이폴 스위칭이 가능한 소재, 3단자 소자 및 아키텍처 연구
논문명 Ferroelectricity in Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2 Bilayer Stack: Role of Dielectric Layer Thickness and Annealing Temperature
성과고유번호 JNL-2021-00112024575 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Das, D 소속기관명 한국과학기술원 기여율 30.0 %
공동저자
학술지
학술지명 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE 권(호) 21 (1) 시작페이지 62
DOI 10.5573/JSTS.2021.21.1.062 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 12분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 35분