논문 상세
목록Ferroelectricity in Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2 Bilayer Stack: Role of Dielectric Layer Thickness and Annealing Temperature
작성자
관리자
조회수
37
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 고성능 (Endurance 10^12, Retention 85℃/10^5초, 스위칭 시간 15ns 이내) 하프늄옥사이드 강유전체 트랜지스터 메모리 소자 기술개발 및 이론연구 | ||||
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| 논문명 | Ferroelectricity in Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2 Bilayer Stack: Role of Dielectric Layer Thickness and Annealing Temperature | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00112153188 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Das, D | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 기여율 | 30.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE | 권(호) | 21 (1) | 시작페이지 | 62 | ||
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| DOI | 10.5573/JSTS.2021.21.1.062 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 14분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 36분 | ||||
논문 원문