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Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon

작성자

관리자

조회수

32

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 전기 다이폴 스위칭이 가능한 소재, 3단자 소자 및 아키텍처 연구
논문명 Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon
성과고유번호 JNL-2021-00112028259 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Mohan, Jaidah 소속기관명 한국과학기술원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 APPLIED PHYSICS LETTERS 권(호) 118 (10) 시작페이지
DOI 10.1063/5.0035579 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 14분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 36분