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Influence of High-Pressure Annealing Conditions on Ferroelectric and Interfacial Properties of Zr-Rich HfxZr1-xO2 Capacitors

작성자

관리자

조회수

37

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 고성능 (Endurance 10^12, Retention 85℃/10^5초, 스위칭 시간 15ns 이내) 하프늄옥사이드 강유전체 트랜지스터 메모리 소자 기술개발 및 이론연구
논문명 Influence of High-Pressure Annealing Conditions on Ferroelectric and Interfacial Properties of Zr-Rich HfxZr1-xO2 Capacitors
성과고유번호 JNL-2021-00112153185 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Das, Dipjyoti 소속기관명 한국과학기술원 기여율 30.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 권(호) 68 (4) 시작페이지 1996
DOI 10.1109/TED.2021.3061963 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 16분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 38분