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Ferroelectricity Enhancement in Hf0.5Zr0.5O2 Based Tri-Layer Capacitors at Low-Temperature (350 degrees C) Annealing Process

작성자

관리자

조회수

47

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 딥뉴럴 네트워크 가속을 위한 3단자 로직-메모리 융합소자 개발
논문명 Ferroelectricity Enhancement in Hf0.5Zr0.5O2 Based Tri-Layer Capacitors at Low-Temperature (350 degrees C) Annealing Process
성과고유번호 JNL-2021-00112069793 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Gaddam, Venkateswarlu 소속기관명 한국과학기술원 기여율 40.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 권(호) 42 (6) 시작페이지 812
DOI 10.1109/LED.2021.3075082 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 16분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 38분