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A 250-GHz 12.6-dB Gain and 3.8-dBm P-sat Power Amplifier in 65-nm CMOS Adopting Dual-Shunt Elements Based G(max)-Core

작성자

관리자

조회수

41

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 300GHz 대역 테라비트 빔포밍 차세대 근거리 무선 통신 송수신칩 개발
논문명 A 250-GHz 12.6-dB Gain and 3.8-dBm P-sat Power Amplifier in 65-nm CMOS Adopting Dual-Shunt Elements Based G(max)-Core
성과고유번호 JNL-2021-00111950052 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Yun, Byeonghun 소속기관명 한국과학기술원 기여율 100.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS 권(호) 31 (3) 시작페이지 292
DOI 10.1109/LMWC.2020.3046745 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 16분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 38분