논문 상세
목록characterization of nanoscale vertical-channel charge-trap memory thin film transistors using oxide semiconducting active and trap layers
작성자
관리자
조회수
35
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발 | ||||
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| 논문명 | characterization of nanoscale vertical-channel charge-trap memory thin film transistors using oxide semiconducting active and trap layers | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00112006248 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Bae, Soo-Hyun | 소속기관명 | (주)엔씨디 | 기여율 | 50.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 권(호) | 39 (4) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.1116/6.0001049 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 17분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 39분 | ||||
논문 원문