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Influence of Reduction in Effective Channel Length on Device Operations of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Variations in Channel Compositions

작성자

관리자

조회수

44

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발
논문명 Influence of Reduction in Effective Channel Length on Device Operations of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Variations in Channel Compositions
성과고유번호 JNL-2021-00112003434 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Bae, Soo-Hyun 소속기관명 (주)엔씨디 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 권(호) 68 (12) 시작페이지 6159
DOI 10.1109/TED.2021.3117188 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 19분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 40분