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Implementation of oxide vertical channel TFTs with sub-150 nm channel length using atomic-layer deposited IGZO active and HfO2 gate insulator

작성자

관리자

조회수

50

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발
논문명 Implementation of oxide vertical channel TFTs with sub-150 nm channel length using atomic-layer deposited IGZO active and HfO2 gate insulator
성과고유번호 JNL-2021-00112006246 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Ryoo, Hyun-Joo 소속기관명 (주)엔씨디 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 NANOTECHNOLOGY 권(호) 32 (25) 시작페이지
DOI 10.1088/1361-6528/abcbc4 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 20분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 40분