논문 상세
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작성자
관리자
조회수
41
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 휴대 단말용 급격한 전하방전 저전압 스위칭 소자 원천기술 개발 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 논문명 | Mott Switching and Structural Transition in the Metal Phase of VO2 Nanodomain | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00111954142 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Kim, Chang-Yong | 소속기관명 | 한국전자통신연구원 | 기여율 | 100.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS | 권(호) | 3 (2) | 시작페이지 | 605 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DOI | 10.1021/acsaelm.0c00983 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 20분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 41분 | ||||
논문 원문