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Combination of gate-stack process and cationic composition control for boosting the performance of thin film transistors using In-Ga-Zn-O active channels prepared by atomic layer deposition

작성자

관리자

조회수

38

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발
논문명 Combination of gate-stack process and cationic composition control for boosting the performance of thin film transistors using In-Ga-Zn-O active channels prepared by atomic layer deposition
성과고유번호 JNL-2021-00112003994 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Moon, Seo-Hyun 소속기관명 (주)엔씨디 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 권(호) 3 (11) 시작페이지 4849
DOI 10.1021/acsaelm.1c00689 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 21분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 41분