논문 상세
목록Device Characterization of Nanoscale Vertical-Channel Transistors Implemented with a Mesa-Shaped SiO2 Spacer and an In-Ga-Zn-O Active Channel
작성자
관리자
조회수
37
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 원자층증착법 기반 초미세 산화물반도체 TFT 핵심소재 및 단위소자 공정 기술 개발 | ||||
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| 논문명 | Device Characterization of Nanoscale Vertical-Channel Transistors Implemented with a Mesa-Shaped SiO2 Spacer and an In-Ga-Zn-O Active Channel | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00112006244 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Ryoo, Hyun-Joo | 소속기관명 | (주)엔씨디 | 기여율 | 33.33 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS | 권(호) | 3 (9) | 시작페이지 | 4189 | ||
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| DOI | 10.1021/acsaelm.1c00631 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 21분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 41분 | ||||
논문 원문