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Impact of process-dependent SiNx passivation on proton-induced degradation in GaN MIS-HEMTs

작성자

관리자

조회수

35

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구
논문명 Impact of process-dependent SiNx passivation on proton-induced degradation in GaN MIS-HEMTs
성과고유번호 JNL-2021-00112016555 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Yoon, Young Jun 소속기관명 (재)한국원자력연구원 기여율 50.0 %
공동저자
학술지
학술지명 RESULTS IN PHYSICS 권(호) 31 (0) 시작페이지
DOI 10.1016/j.rinp.2021.105013 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 22분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 42분