논문 상세
목록Single-event transient characteristics of vertical gate-all-around junctionless field-effect transistor on bulk substrate
작성자
관리자
조회수
36
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구 | ||||
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| 논문명 | Single-event transient characteristics of vertical gate-all-around junctionless field-effect transistor on bulk substrate | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00111922256 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Yoon, Young Jun | 소속기관명 | (재)한국원자력연구원 | 기여율 | 50.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 권(호) | 127 (2) | 시작페이지 | |||
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| DOI | 10.1007/s00339-020-04250-6 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 22분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 42분 | ||||
논문 원문