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High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications

작성자

관리자

조회수

29

등록일

2024-07-23

논문 상세정보
과제 미래국방 지능형ICT 교육연구단
논문명 High Pressure Deuterium Passivation of Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
성과고유번호 JNL-2021-00112186618 성과발생연도 2021 국내외구분
학술지구분 학술지유형 SCIE
논문초록
주저자 Sung, Jae-Young 소속기관명 충남대학 기여율 0.0 %
공동저자
학술지
학술지명 MICROMACHINES 권(호) 12 (11) 시작페이지
DOI 10.3390/mi12111316 ISSN ISBN
최초등록 관리자, 2024-07-23 PM 04시 23분 최종수정 관리자, 2024-10-24 PM 01시 42분