논문 상세
목록A 250-GHz 12.6-dB Gain and 3.8-dBm P-sat Power Amplifier in 65-nm CMOS Adopting Dual-Shunt Elements Based G(max)-Core
작성자
관리자
조회수
40
등록일
2024-07-23
논문 상세정보
| 과제 | 산업·사회 혁신을 위한 초연결지능 교육연구단 | ||||
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| 논문명 | A 250-GHz 12.6-dB Gain and 3.8-dBm P-sat Power Amplifier in 65-nm CMOS Adopting Dual-Shunt Elements Based G(max)-Core | ||||
| 성과고유번호 | JNL-2021-00112186749 | 성과발생연도 | 2021 | 국내외구분 | |
| 학술지구분 | 학술지유형 | SCIE | |||
| 논문초록 | |||||
| 주저자 | Yun, Byeonghun | 소속기관명 | 한국과학기술원 | 기여율 | 0.0 % |
| 공동저자 | |||||
학술지
| 학술지명 | IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS | 권(호) | 31 (3) | 시작페이지 | 292 | ||
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| DOI | 10.1109/LMWC.2020.3046745 | ISSN | ISBN | ||||
| 최초등록 | 관리자, 2024-07-23 PM 04시 24분 | 최종수정 | 관리자, 2024-10-24 PM 01시 43분 | ||||
논문 원문