과제 상세정보
목록GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구
작성자
관리자
조회수
83
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 기본연구(1년~5년) |
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과제 기본정보
| 과제명 | GaN 기반 고주파 전력 반도체의 우주방사선 영향 평가 및 내방사선 향상 연구 | ||||
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| 과제고유번호 | 1345315713 | ||||
| 부처명 | 교육부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 계속과제 | 이전연도 과제번호 | 1345293737 | ||
| 과제수행연도 | 2020 | 총연구기간 | 2018-06-01 ~ 2021-05-31 | 당해연도 연구기간 | 2020-03-01 ~ 2021-02-28 |
요약 정보
| 연구목표 | 본 연구에서는 위성통신용 고출력 송수신회로의 전력증폭기에 적용 가능한 질화갈륨(GaN) 기반 고주파 전력 반도체 소자 제작 및 내방사선 향상 기술 개발을 목표로 한다. | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 주요 연구 내용으로는 C-band급(주파수 대역 : 4 ~ 8 GHz) 전력증폭기용 고주파 전력 반도체 소자 제작 기술 확보, 이온빔/방사선 조사를 통해 변화 GaN 소재의 전기적/결정구조적 및 결함 분석, 분석된 결과를 바탕으로 한 소자 동작 특성 저하 메커니즘 확립, 이온빔 주입 기술을 적용한 내방사선 향상 소자 구조 제안 및 제작, 제작된 소자의 내방... | ||
| 기대효과 | 국내 우주부품용 전자 소자 개발 및 내방사선 평가 기술 확보를 통한 기술 자립화가 가능하며, 내방사선이 향상된 소자는 핵폭발과 같은 극한환경(고방사선)용 방사선 센서와 군사용 첩보위성 등에도 응용가능하다. GaN 기반 고주파 전력 반도체 소자 제작 기술은 민수 분야에서는 차세대 이동통신(5G)의 기지국 및 모바일 기기, 민수용 레이더 시스템(선박용, 기상용... | ||
| 키워드 | 질화갈륨,고주파 전력 반도체 소자,내방사선,우주방사선효과,이온빔 주입,신뢰성,위성통신,C급 주파수 대역 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 기초연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | IT(정보기술) | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 연 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 화합물소자 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 지식의 진보(비목적연구) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 한국원자력연구원 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 한국원자력연구원 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 공학 |
사업비
| 국비 | 50,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
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| 비고 | |||