| 연구목표 |
2차년도 개발 목표 : 원자층 식각 공정 특성 연구- 주관기관(대전대학교) : Cycle time 단축 및 금속 재료에 대한 이방성 원자층 식각 연구-참여기관(성균간대학교1) : 라디칼의 표면흡착 및 변환 특성 연구 및 High-k 물질의 원자층 식각반응 메커니즘 연구-참여기관(성균간대학교2) : 원자층 식각을 위한 플라즈마원 최적화 및 공정 특성 평가 |
| 연구내용 |
- 주관기관(대전대학교) ● Extremely low duty cycle에서의 원자층 식각 특성 연구 - Purge 단계를 단축 및 제거하여 기존의 원자층 식각 공정에 비해 cycle time을 개선함. - 흡착-탈착 cycle 구성에서 원자층 식각 공정에 대한 식각 특성 평가● Mass 변화에 따른 원자층 식각 특성 연구 - He, Ne, Ar 등 ... |
| 기대효과 |
- 기존의 실리콘 반도체의 한계를 극복하기 위해 새로운 트랜지스터 구조로써 핀펫 (FinFET), 게이트 올 어라운드 (GAA) 및 3D 낸드 소자와 같은 수직 트랜지스터 소자 구조가 중요한 이슈로 부각되고 있으며, 이에 적합한 반도체 식각 공정 및 소자로의 응용기술에 대한 기술 개발이 활발히 진행되고 있음. - 이러한 기술적 변화가 진행됨에 따라 이를 ... |
| 키워드 |
이온에너지,고주파,원자층 식각,라디칼 흡착,이방성 식각 |