과제 상세정보
목록5G 통신용 6인치 RF power GaN on SiC 에피웨이퍼 개발
작성자
관리자
조회수
227
등록일
2024-05-21
사업 정보
| 내역사업 | 2018년도 글로벌 스타벤처 육성 R&D과제 시행계획 공고(1차) |
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과제 기본정보
| 과제명 | 5G 통신용 6인치 RF power GaN on SiC 에피웨이퍼 개발 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 과제고유번호 | 1425140134 | ||||
| 부처명 | 중소벤처기업부 | ||||
| 시행계획 내 사업명 | |||||
| 시행계획 내 사업유형 | 예산출처지역 | 대전광역시 | 사업수행지역 | 대전광역시 | |
| 계속/신규 과제구분 | 계속과제 | 이전연도 과제번호 | 1425130514 | ||
| 과제수행연도 | 2020 | 총연구기간 | 2018-06-01 ~ 2020-05-31 | 당해연도 연구기간 | 2020-01-01 ~ 2020-05-31 |
요약 정보
| 연구목표 | 1차년도 개발 내용을 토대로 6인치 RF power GaN on SiC 에피웨이퍼 제품화를 위해 다음과 같이 특성 개선 활동 수행 예정1. 박막두께 균일도 개선 강화2. AlGaN barrier 층의 균일도 특성 강화 심화3. AlGaN/GaN 이종접합구조의 면저항 균일도 개선 강화 | ||
|---|---|---|---|
| 연구내용 | 아래와 같이 개발 추진1. 균일한 소스 공급을 위한 source crucible 구조 개선2. GaN 버퍼층의 전기적 특성 균일도 개선3. AlN seed 층의 V/III 비율 최적화를 통한 균일도 개선4. GaN 채널층의 RMS roughness 개선5. AlGaN 층의 Al 조성에 따른 성장조건 최적화6. AlGaN 층의 두께 및 조성 균일도 확보 | ||
| 기대효과 | 2020년 개발 종료시점에 맞춰 5G 통신용 6인치 RF power GaN on SiC 에피웨이퍼를 개발 완료함으로서 시장에 적절한 대응을 할 수 있을 것으로 사료되며, 특히, 당사의 핵심특허기술을 바탕으로 경쟁 우위를 달성할 수 있을 것이다. | ||
| 키워드 | 갈륨나이트라이드,실리콘카바이드,에피웨이퍼,에피택시,에피택셜 | ||
위탁/공동여부 정보
| 단독연구 | 기업 | 대학 | 국공립(연)/출연(연) | 외국연구기관 | 기타 |
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기술 정보
| 연구개발단계 | 개발연구 | 산업기술분류 | |
|---|---|---|---|
| 미래유망신기술(6T) | 기타 | 기술수명주기 | |
| 연구수행주체 | 산 | 과학기술표준분류 | 인공물 > 전기/전자 > 반도체소자·회로 > 반도체 재료 |
| 주력산업분류 | 적용분야 | 제조업(전자부품,컴퓨터,영상,음향및통신장비) | |
| 중점과학기술분류 | 과제유형 |
과제수행기관(업) 정보
| 과제수행기관(업) 정보 | 과제수행기관(업)명 | 주식회사 아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
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| 연구책임자 | 소속기관명 | 주식회사 아이브이웍스 | 사업자등록번호 | |
| 최종학위 | 박사 | 최종학력전공 | 이학 |
사업비
| 국비 | 104,000,000 | 지방비(현금+현물) | 0 |
|---|---|---|---|
| 비고 | |||